PN6780集成超低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、 适配器和内置电源。PN6780为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗 （230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输 出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供 了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
产品特征
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ 无需额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能 过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护
(UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
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